近日，中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室胡偉達(dá)研究員、武漢大學(xué)廖蕾教授等研究人員在Advanced Functional Materials上發(fā)表研究文章：“High-SensitivityFloating-Gate Phototransistors Based on WS2 and MoS2” （DOI: 10.1002/adfm.201601346）。該文章論述了研究人員在浮柵結(jié)構(gòu)二維材料光電探測(cè)器研究方面取得的進(jìn)展。嘉興科民電子設(shè)備有限公司研發(fā)的KEMICRO-TALD200A型機(jī)器在該器件中完成了隧穿和阻隔氧化物的工作，成功助力該光電探測(cè)器的研發(fā)工作。

注：此圖為文章中嘉興科民電子KEMICRO-TALD200A型機(jī)器設(shè)備

注：上圖摘自文章“High-SensitivityFloating-Gate Phototransistors Based on WS2 and MoS2” （DOI: 10.1002/adfm.201601346）

注：上圖為嘉興科民電子為光電器件研究領(lǐng)域研發(fā)的“原位監(jiān)測(cè)等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)”

　　2004年石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來(lái)，二維材料吸引了材料，電子，能源等眾多領(lǐng)域研究者的關(guān)注。2010年開始被廣泛關(guān)注的過(guò)渡金屬硫族化合物是具有合適帶隙的半導(dǎo)體型二維材料，在電子與光電器件應(yīng)用等方面展現(xiàn)出巨大潛力，為后摩爾時(shí)代集成化電子器件的研究開辟了新的方向。二硫化鉬及二硫化鎢等具有代表性的過(guò)渡金屬硫化物二維材料具的半導(dǎo)體帶隙與硅、砷化鎵等材料接近，并且?guī)秾挾入S薄膜厚度變化明顯，具有成為新型光電探測(cè)器的潛力。
　　胡偉達(dá)等研究人員，將傳統(tǒng)浮柵存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)引與光電探測(cè)器進(jìn)行完美結(jié)合，利用浮柵能夠捕獲和釋放載流子的特性，引入一種垂直的“局域電場(chǎng)”，該局域電場(chǎng)能夠完全耗盡背景載流子，克服了之前存在的界面缺陷，高濃度背景載流子等問(wèn)題。通過(guò)這一浮柵結(jié)構(gòu)提高了光電器件在弱光下的探測(cè)能力，同時(shí)具有優(yōu)異的低功耗特性。該浮柵結(jié)構(gòu)的探測(cè)器電流響應(yīng)率可達(dá)1090A/W，探測(cè)率達(dá)3.5×1011Jones。這一成果為基于二維材料的光電子器件提供了新方法與新思路。

注：上圖為文章內(nèi)的光電探測(cè)器的具有很低的背景載流子強(qiáng)度

　　嘉興科民電子祝賀中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室胡偉達(dá)研究員、武漢大學(xué)廖蕾教授及其團(tuán)隊(duì)成員在二維材料光電探測(cè)器方面取得的積極進(jìn)展。同時(shí)希望能夠在相關(guān)領(lǐng)域繼續(xù)深度合作，取得進(jìn)一步成果。